IPD60R145CFD7ATMA1

Infineon Technologies

IPD60R145CFD7ATMA1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N CH

В производствеTO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs145mOhm @ 6.8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1330 pF @ 400 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияCoolMOS™ CFD7
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 340µA

Электрические

Напряжение сток-исток600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность83W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)
Корпус производителяDPAK (TO-252)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)