Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 178mOhm @ 13A, 10V |
|---|---|
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2100 pF @ 50 V |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
| Статус позиции | В производстве |
| Серия | 448 |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1.04mA |
| Напряжение сток-исток | 100 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Ta), 13.9A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 3W (Ta), 83W (Tc) |
| Package / Case | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
|---|---|
| Корпус производителя | PG-TO252-3 |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
|---|