IPD100N04S4L02ATMA1

Infineon Technologies

IPD100N04S4L02ATMA1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CHANNEL_30/40V

В производствеTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.9mOhm @ 100A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds12800 pF @ 25 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияOptiMOS™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+20V, -16V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 95µA

Электрические

Напряжение сток-исток40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность150W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101