IPC80N04S403ATMA1

Infineon Technologies

IPC80N04S403ATMA1

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 40V 80A TDSON-8-23

Устаревший8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.3mOhm @ 40A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5720 pF @ 25 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияAutomotive, AEC-Q101, OptiMOS™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 60µA

Электрические

Напряжение сток-исток40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность100W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Корпус производителяPG-TDSON-8-23

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)