IPC60N04S406ATMA1

Infineon Technologies

IPC60N04S406ATMA1

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 40V 60A TDSON-8-23

Устаревший8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs6mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2650 pF @ 25 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияOptiMOS™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 30µA

Электрические

Напряжение сток-исток40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность63W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101