IPC50N04S5L5R5ATMA1

Infineon Technologies

IPC50N04S5L5R5ATMA1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33

Снят с производства8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.5mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1209 pF @ 25 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
СерияOptiMOS™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 13µA

Электрические

Напряжение сток-исток40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность42W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101