IPC302N08N3X1SA1

Infineon Technologies

IPC302N08N3X1SA1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 80V 1A SAWN ON FOIL

В производствеDieАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 2A, 10V
Базовый Part NumberIPC302N
FET TypeN-Channel
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияOptiMOS™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 270µA

Электрические

Напряжение сток-исток80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Tj)

Механические

КорпусBulk
Package / CaseDie
Корпус производителяSawn on foil