IPC020N10L3X1SA1

Infineon Technologies

IPC020N10L3X1SA1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL

В производствеDieАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 2A, 4.5V
Базовый Part NumberIPC020N
FET TypeN-Channel
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияOptiMOS™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 12µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Tj)

Механические

КорпусBulk
Package / CaseDie
Корпус производителяSawn on foil