Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 6.4A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1291 pF @ 400 V |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Серия | CoolMOS™ |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 320µA |
| Напряжение сток-исток | 650 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 77W (Tc) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Корпус производителя | PG-TO263-7-11 |
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Рабочая температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Qualification | AEC-Q101 |