IPBE65R075CFD7AATMA1

Infineon Technologies

IPBE65R075CFD7AATMA1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 650V 32A TO263-7

В производствеTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CBАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 16.4A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3288 pF @ 400 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CFD7A
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 820µA

Электрические

Напряжение сток-исток650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C32A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность171W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Корпус производителяPG-TO263-7-3-10

Среда

Рабочая температура-40°C~150°C(TJ)