IPB80R290C3AATMA2

Infineon Technologies

IPB80R290C3AATMA2

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3

В производствеTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs290mOhm @ 11A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2300 pF @ 100 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияCoolMOS™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.9V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность227W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-40°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101