IPB80N04S3-04

Name: IPB80N04S3-04
Brand: Infineon Technologies

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

В производствеTO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AAАналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.1mOhm @ 80A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5200 pF @ 25 V
Производитель	Infineon Technologies
Тип монтажа	Surface Mount
Product Status	Active
Серия	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 90µA

Напряжение сток-исток	40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	80A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность	136W (Tc)

Рабочая температура	-55°C~175°C(TJ)