IPB110N06L G

Name: IPB110N06L G
Brand: Infineon Technologies

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 60V 78A TO-263

УстаревшийTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	11mOhm @ 78A, 10V
Базовый Part Number	IPB110N
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2700 pF @ 30 V
Производитель	Infineon Technologies
Тип монтажа	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 94µA

Напряжение сток-исток	60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	78A (Tc)