IPB040N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

IPB040N08NF2SATMA1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3

В производствеTape & Reel (TR); Cut Tape (CT)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs4mOhm @ 80A, 10V
Базовый Part NumberIPB040N
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3800 pF @ 40 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияStrongIRFET™ 2
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 85µA

Электрические

Напряжение сток-исток50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C107A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность150W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)