IPA50R190CE

Infineon Technologies

IPA50R190CE

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-FP

УстаревшийTO-220-3 Full PackАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs190mOhm @ 6.2A, 13V
FET FeatureSuper Junction
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs47.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1137 pF @ 100 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusObsolete
СерияCoolMOS™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 510µA

Электрические

Напряжение сток-исток500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18.5A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность32W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Корпус производителяPG-TO220-FP

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)