IMZ120R045M1XKSA1

Name: IMZ120R045M1XKSA1
Brand: Infineon Technologies

Аналоговые и силовые компоненты

SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4

Снят с производстваTO-247-4Аналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	59mOhm @ 20A, 15V
FET Feature	Current Sensing
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1900 pF @ 800 V
Производитель	Infineon Technologies
Тип монтажа	Through Hole
Product Status	Not For New Designs
Серия	CoolSiC™
Технология	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+20V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id	5.7V @ 10mA

Напряжение сток-исток	1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	52A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность	228W (Tc)

Рабочая температура	-55°C~175°C(TJ)