IMT65R083M1HXUMA1

Infineon Technologies

IMT65R083M1HXUMA1

Аналоговые и силовые компоненты

SILICON CARBIDE MOSFET

В производстве8-PowerSFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияCoolSiC™
ТехнологияSiCFET (Silicon Carbide)

Электрические

Напряжение сток-исток650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)18V

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerSFN
Корпус производителяPG-HSOF-8-1