IMT65R022M1HXUMA1

Infineon Technologies

IMT65R022M1HXUMA1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

SILICON CARBIDE MOSFET

В производстве8-PowerSFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
Серия448
ТехнологияSiCFET (Silicon Carbide)

Электрические

Напряжение сток-исток650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)18V

Механические

Package / Case8-PowerSFN
Корпус производителяPG-HSOF-8-2