Общие
| Resistance - RDS(On) | 70 mOhms |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 19.5V (VGS) |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Серия | CoolSiC™ |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Напряжение сток-исток | 1200 V |
|---|---|
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 1200 V |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 3.3 µA @ 1200 V |
| Current Drain (Id) - Max | 35 A |
| Power - Max | 238 W |
Механические
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-247-3 |
| Корпус производителя | PG-TO247-3 |
Среда
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
|---|