IGT60R070D1E8220ATMA1

Infineon Technologies

IGT60R070D1E8220ATMA1

Аналоговые и силовые компоненты

GAN HV

Устаревший8-PowerSFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds380 pF @ 400 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияCoolGaN™
ТехнологияGaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)-10V
Vgs(th) (Max) @ Id1.6V @ 2.6mA

Электрические

Напряжение сток-исток600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C31A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность125W (Tc)

Механические

КорпусBulk
Package / Case8-PowerSFN
Корпус производителяPG-HSOF-8-3

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)