Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| FET Type | N-Channel |
|---|---|
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 382 pF @ 320 V |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Discontinued at |
| Серия | CoolGaN™ |
| Технология | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 2.6mA |
| Напряжение сток-исток | 400 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 125W (Tc) |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Корпус производителя | PG-HSOF-8-3 |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|