Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Базовый Part Number | IGLD60 |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 380 pF @ 400 V |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Серия | CoolGaN™ |
| Технология | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 2.6mA |
| Напряжение сток-исток | 600 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 114W (Tc) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 8-LDFN Exposed Pad |
| Корпус производителя | PG-LSON-8-1 |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|