IGB30N60T

Infineon Technologies

IGB30N60T

Аналоговые и силовые компоненты

IGB30N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT

В производствеTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Gate Charge167 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
Тип входаStandard
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияTRENCHSTOP™
Switching Energy690µJ (on), 770µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C23ns/254ns
Test Condition400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.05V @ 15V, 30A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V
Current - Collector (Ic) (Max)45 A
Current - Collector Pulsed (Icm)90 A
Power - Max187 W

Механические

КорпусBulk
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус производителяPG-TO263-3-2

Среда

Рабочая температура-40°C~175°C(TJ)