IDK08G120C5XTMA1

Infineon Technologies

IDK08G120C5XTMA1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE SIC 1.2KV 22.8A TO263-1

В производствеTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberIDK08G120
Capacitance @ Vr, F365pF @ 1V, 1MHz
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
Серия448
ТехнологияSiC (Silicon Carbide) Schottky

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.95 V @ 8 A
Current - Average Rectified (Io)22.8A
Current - Reverse Leakage @ Vr40 µA @ 1200 V
СкоростьNo Recovery Time > 500mA (Io)

Механические

Package / CaseTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус производителяPG-TO263-2-1

Среда

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C