Общие
| Базовый Part Number | IDH04G65 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 205pF @ 1V, 1MHz |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Технология | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.35 V @ 4 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 12A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 14 µA @ 420 V |
| Скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Механические
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-2 |
| Корпус производителя | PG-TO220-2 |
Среда
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
|---|