IAUZ30N06S5L140ATMA1

Infineon Technologies

IAUZ30N06S5L140ATMA1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 60V 30A TSDSON-8-32

В производстве8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs14mOhm @ 15A, 10V
Базовый Part NumberIAUZ30
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds888 pF @ 30 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияOptiMOS™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 10µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tj)
Макс. рассеиваемая мощность33W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Корпус производителяPG-TSDSON-8-32

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)