IAUC80N04S6N036ATMA1

Infineon Technologies

IAUC80N04S6N036ATMA1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IAUC80N04S6N036ATMA1

В производстве8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.68mOhm @ 40A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1338 pF @ 25 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
СерияOptiMOS™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 18µA

Электрические

Напряжение сток-исток40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность50W (Tc)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101