FF8MR12W2M1B11BOMA1

Infineon Technologies

FF8MR12W2M1B11BOMA1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2

УстаревшийModuleАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5mOhm @ 150A, 15V (Typ)
Базовый Part NumberFF8MR12
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs372nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds11000pF @ 800V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаChassis Mount
Product StatusObsolete
СерияCoolSiC™+
ТехнологияSilicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id5.55V @ 60mA

Электрические

Напряжение сток-исток1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C150A (Tj)

Механические

КорпусTray
Package / CaseModule
Корпус производителяAG-EASY2BM-2

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 150°C (TJ)