Запросить цену
Главная/Продукты/Дискретные полупроводники/Транзисторы - IGBTs - Модули/FF200R12MT4BOMA1
FF200R12MT4BOMA1

Infineon Technologies

FF200R12MT4BOMA1

Аналоговые и силовые компоненты

IGBT MODULE 1200V 1050W

УстаревшийModuleАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberFF200R12
Конфигурация2 Independent
IGBT TypeTrench Field Stop
InputStandard
Input Capacitance (Cies) @ Vce14 nF @ 25 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаChassis Mount
NTC ThermistorYes
Product StatusObsolete
СерияEconoDUAL™ 2
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 200A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200 V
Current - Collector Cutoff (Max)1 mA
Power - Max1050 W

Механические

КорпусBulk
Package / CaseModule
Корпус производителяModule

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 150°C

Похожие компоненты

Похожие компоненты по семейству FF200R12MT4BOMA1, производителю или категории.

Требует проверки

Похожие компоненты для этой позиции пока недоступны.