FF11MR12W1M1B11BOMA1

Infineon Technologies

FF11MR12W1M1B11BOMA1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 1200V 100A MODULE

УстаревшийModuleАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs11mOhm @ 100A, 15V
Базовый Part NumberFF11MR12
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs250nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7950pF @ 800V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаChassis Mount
Product StatusObsolete
СерияCoolSiC™+
ТехнологияSilicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id5.55V @ 40mA

Электрические

Напряжение сток-исток1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A

Механические

КорпусTray
Package / CaseModule
Корпус производителяModule

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 150°C (TJ)