F423MR12W1M1PB11BPSA1

Infineon Technologies

F423MR12W1M1PB11BPSA1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 4N-CH 1200V 50A AG-EASY1B

УстаревшийModuleАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs22.5mOhm @ 50A, 15V
Базовый Part NumberF423MR12
Конфигурация4 N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs124nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3.68nF @ 800V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаChassis Mount
УпаковкаTray
Статус позицииУстаревший
СерияEasyPACK™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5.5V @ 20mA

Электрические

Напряжение сток-исток1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A

Механические

Package / CaseModule
Корпус производителяAG-EASY1B-2

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 150°C (TJ)