DF11MR12W1M1B11BOMA1

Infineon Technologies

DF11MR12W1M1B11BOMA1

Аналоговые и силовые компоненты

SIC 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2

УстаревшийModuleАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs23mOhm @ 50A, 15V
Базовый Part NumberDF11MR12
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs125nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3950pF @ 800V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаChassis Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияSilicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id5.5V @ 20mA

Электрические

Напряжение сток-исток1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A

Механические

КорпусTray
Package / CaseModule
Корпус производителяAG-EASY1BM-2

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 150°C (TJ)