Общие
| Diode Type | Single Phase |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Product Status | Active |
| Серия | CoolSiC™ |
| Технология | Silicon Carbide Schottky |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.85 V @ 20 A |
|---|---|
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.2 kV |
| Current - Average Rectified (Io) | 20 A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 58 µA @ 1200 V |
Механические
| Корпус | Tray |
|---|---|
| Package / Case | Module |
| Корпус производителя | AG-EASY1B-1 |
Среда
| Рабочая температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
|---|