Общие
| Diode Configuration | 2 Independent |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | Standard |
DD1000S33HE3B60BOSA1
Аналоговые и силовые компоненты
DIODE MOD GP 3300V AGIHVB130-3
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 3300 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3.85 V @ 1000 A |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 1000A (DC) |
| Скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Механические
| Корпус | Tray |
|---|---|
| Package / Case | Module |
| Корпус производителя | AG-IHVB130-3 |
Среда
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 150°C |
|---|