Общие
| Тип программной памяти | FLASH |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип генератора | Internal |
| Product Status | Active |
| Серия | Traveo™ T2G |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Ядро процессора | ARM® Cortex®-M0+, ARM® Cortex®-M7 |
|---|---|
| Разрядность ядра | 32-Bit Quad-Core |
| Скорость | 100MHz, 350MHz |
| Объем программной памяти | 8.1875MB (8.1875M x 8) |
| Объем RAM | 1M x 8 |
| Периферия | Brown-out Detect/Reset, DMA, POR, PWM, WDT |
| Интерфейсы | CANbus, EBI/EMI, I²C, LINbus, SPI, UART/USART |
| Количество I/O | 148 |
| Voltage - Supply (Vcc/Vdd) | 2.7V ~ 5.5V |
| Преобразователи данных | A/D 99x12b SAR |
Механические
| Объем EEPROM | 256 x 8 |
|---|---|
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case | 176-LQFP Exposed Pad |
Среда
| Рабочая температура | -40°C~125°C(TA) |
|---|