Общие
| Тип программной памяти | FLASH |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип генератора | External, Internal |
| Product Status | Active |
| Серия | Traveo™ T2G |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Ядро процессора | ARM® Cortex®-M0+, ARM® Cortex®-M7 |
|---|---|
| Разрядность ядра | 32-Bit Dual-Core |
| Скорость | 100MHz, 250MHz |
| Объем программной памяти | 4.0625MB (4.0625M x 8) |
| Объем RAM | 768K x 8 |
| Периферия | Brown-out Detect/Reset, DMA, I²S, LVD, POR, PWM, WDT |
| Интерфейсы | CANbus, Ethernet, I²C, LINbus, eMMC/SD, SPI, UART/USART |
| Количество I/O | 72 |
| Voltage - Supply (Vcc/Vdd) | 2.7V ~ 5.5V |
| Преобразователи данных | A/D 55x12b SAR |
Механические
| Объем EEPROM | 256K x 8 |
|---|---|
| Корпус | Tray |
| Package / Case | 100-LQFP Exposed Pad |
Среда
| Рабочая температура | -40°C~125°C(TA) |
|---|