Общие
| Тип программной памяти | FLASH |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип генератора | External, Internal |
| Product Status | Active |
| Серия | Traveo™ II T2G |

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Тип программной памяти | FLASH |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип генератора | External, Internal |
| Product Status | Active |
| Серия | Traveo™ II T2G |
| Ядро процессора | ARM® Cortex®-M0+, ARM® Cortex®-M4F |
|---|---|
| Разрядность ядра | 32-Bit Dual-Core |
| Скорость | 100MHz, 160MHz |
| Объем программной памяти | 1.0625MB (1.0625M x 8) |
| Объем RAM | 128K x 8 |
| Периферия | Brown-out Detect/Reset, Crypto - AES, DMA, LVD, POR, PWM, SHA, TRNG, WDT |
| Интерфейсы | CANbus, FIFO, I²C, IrDA, LINbus, SPI, UART/USART |
| Количество I/O | 122 |
| Voltage - Supply (Vcc/Vdd) | 2.7V ~ 5.5V |
| Преобразователи данных | A/D 72x12b SAR |
| Объем EEPROM | 96K x 8 |
|---|---|
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case | 144-LQFP |
| Рабочая температура | -40°C~125°C(TA) |
|---|