Общие
| Тип программной памяти | FLASH |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип генератора | Internal |
| Product Status | Obsolete |
| Серия | FCR4 MB9EF226 |

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Тип программной памяти | FLASH |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип генератора | Internal |
| Product Status | Obsolete |
| Серия | FCR4 MB9EF226 |
| Ядро процессора | ARM® Cortex®-R4 |
|---|---|
| Разрядность ядра | 32-Bit Single-Core |
| Скорость | 128MHz |
| Объем программной памяти | 2MB (2M x 8) |
| Объем RAM | 208K x 8 |
| Периферия | DMA, I2S, LVD, POR, PWM, WDT |
| Интерфейсы | CANbus, I2C, LINbus, SPI, UART/USART |
| Количество I/O | 117 |
| Voltage - Supply (Vcc/Vdd) | 1.8V ~ 5.5V |
| Преобразователи данных | A/D 50x10b |
| Объем EEPROM | 48K x 8 |
|---|---|
| Корпус | Tray |
| Рабочая температура | -40°C ~ 105°C (TA) |
|---|