Общие
| Тип памяти | Non-Volatile |
|---|---|
| Технология | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Время доступа | 25 ns |
| Базовый Part Number | CY14E116 |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Время цикла записи | 25ns |

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Тип памяти | Non-Volatile |
|---|---|
| Технология | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Время доступа | 25 ns |
| Базовый Part Number | CY14E116 |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Время цикла записи | 25ns |
| Объем памяти | 16Mbit |
|---|---|
| Формат памяти | NVSRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Напряжение питания | 4.5V ~ 5.5V |
| Memory Organization | 2M x 8 |
| Корпус | Tray |
|---|---|
| Package / Case | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Корпус производителя | 44-TSOP II |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C (TA) |
|---|