BTS282Z E3230

Infineon Technologies

BTS282Z E3230

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7

УстаревшийTO-220-7Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5mOhm @ 36A, 10V
FET FeatureTemperature Sensing Diode
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs232 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4800 pF @ 25 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusObsolete
СерияTEMPFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 240µA

Электрические

Напряжение сток-исток49 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность300W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-220-7
Корпус производителяP-TO220-7-230

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 175°C (TJ)