BTS115AE6327

Infineon Technologies

BTS115AE6327

Аналоговые и силовые компоненты

N-CHANNEL POWER MOSFET

УстаревшийTO-220-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs120mOhm @ 7.8A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds735 pF @ 25 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusObsolete
СерияTEMPFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15.5A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность50W

Механические

КорпусBulk
Package / CaseTO-220-3
Корпус производителяPG-TO220-3-1

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)