BSZ0910NDXTMA1

Infineon Technologies

BSZ0910NDXTMA1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 30V 9.5A WISON-8

Устаревший8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs9.5mOhm @ 9A, 10V
Базовый Part NumberBSZ0910
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds800pF @ 15V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияOptiMOS™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.5A (Ta), 25A (Tc)
Power - Max1.9W (Ta), 31W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Корпус производителяPG-WISON-8

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)