BSZ018NE2LSATMA1

Infineon Technologies

BSZ018NE2LSATMA1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 25V 23A/40A TSDSON

В производстве8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.8mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2800 pF @ 12 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
СерияOptiMOS™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C23A (Ta), 40A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность2.1W (Ta), 69W (Tc)

Механические

Package / Case8-PowerTDFN
Корпус производителяPG-TSDSON-8-FL

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)