BSS816NWH6327XTSA1

Infineon Technologies

BSS816NWH6327XTSA1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3

В производствеSC-70, SOT-323Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs160mOhm @ 1.4A, 2.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds180 pF @ 10 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияOptiMOS™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id750mV @ 3.7µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 2.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.4A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность500mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-70, SOT-323
Корпус производителяPG-SOT323

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)