BSS223PWL6327

Infineon Technologies

BSS223PWL6327

Аналоговые и силовые компоненты

SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET

В производствеSC-70, SOT-323Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds56 pF @ 15 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияOptiMOS®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 1.5µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C390mA (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность250mW (Ta)

Механические

КорпусBulk
Package / CaseSC-70, SOT-323
Корпус производителяPG-SOT323-3-3

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)