BSS209PW

Infineon Technologies

BSS209PW

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 20V 580MA SOT323-3

УстаревшийSC-70, SOT-323Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs550mOhm @ 580mA, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds89.9 pF @ 15 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияOptiMOS™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 3.5µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C580mA (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность520mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-70, SOT-323
Корпус производителяPG-SOT323

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)