BSS138IXTSA1

Infineon Technologies

BSS138IXTSA1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3

В производствеTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5Ohm @ 230mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds32 pF @ 25 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 26µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C230mA (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность360mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус производителяPG-SOT-23-3

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)