BSO615N

Infineon Technologies

BSO615N

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8DSO

Устаревший8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs150mOhm @ 2.6A, 4.5V
Базовый Part NumberBSO615
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds380pF @ 25V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияSIPMOS®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 20µA

Электрические

Напряжение сток-исток60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.6A
Power - Max2W

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителяPG-DSO-8

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)