BSO200N03

Infineon Technologies

BSO200N03

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO

Устаревший8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 7.9A, 10V
Базовый Part NumberBSO200
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1010pF @ 15V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияOptiMOS™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 13µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.6A
Power - Max1.4W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителяPG-DSO-8

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)