BSM25GB120DN2

Infineon Technologies

BSM25GB120DN2

Аналоговые и силовые компоненты

IGBT MODULE

В производствеModuleАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

КонфигурацияHalf Bridge
InputStandard
Input Capacitance (Cies) @ Vce1.65 nF @ 25 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаChassis Mount
NTC ThermistorNo
Product StatusActive
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 25A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)38 A
Current - Collector Cutoff (Max)800 µA
Power - Max200 W

Механические

КорпусBulk
Package / CaseModule
Корпус производителяModule

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)